V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V20PWM45 Vishay Semiconductor
,Vishay Semiconductor TMBS Trench
,MOS Barrier Schottky Rectifier
V20PWM45 V20PWM45C-M3/I نیمه هادی Vishay با چگالی جریان بالا TMBS Trench MOS مانع یکسو کننده شاتکی DPAK محصولات نیمه هادی گسسته
V20PWM45:تراکم جریان بالا TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) یکسو کننده بسیار کم VF = 0.35 ولت در IF = 5 A
V20PWM45Cتراکم جریان بالا TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) یکسو کننده بسیار کم VF = 0.39 ولت در IF = 5 A
برنامه های کاربردی
برای استفاده در مبدل های ولتاژ پایین فرکانس بالا DC/DC،
دیودهای چرخ آزاد و کاربردهای حفاظت از قطبیت
امکانات
• مشخصات بسیار کم - ارتفاع معمولی 1.3 میلی متر
• فناوری ترانچ MOS Schottky
• ایده آل برای قرار دادن خودکار
• افت ولتاژ رو به جلو کم، تلفات کم توان
• عملکرد با راندمان بالا
• مطابق با سطح 1 MSL، به ازای J-STD-020،
حداکثر پیک LF 260 درجه سانتیگراد
• واجد شرایط AEC-Q101 موجود است
- کد سفارش خودرو: پایه P/NHM3
• طبقه بندی مواد
شرح
این ماسفت HEXFET® Power از جدیدترین تکنیک های پردازش برای دستیابی به مقاومت بسیار کم در هر ناحیه سیلیکونی استفاده می کند.
از دیگر ویژگی‌های این محصول می‌توان به دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد، سرعت سوئیچینگ سریع و بهبود رتبه‌بندی تکراری بهمن اشاره کرد.این ویژگی‌ها با هم ترکیب می‌شوند تا این طراحی را به دستگاهی بسیار کارآمد و قابل اعتماد برای استفاده در کاربردهای مختلف تبدیل کنند.
امکانات :
فناوری فرآیند پیشرفته با مقاومت بسیار کم 175 درجه سانتی گراد دمای عملیاتی سوئیچینگ سریع بهمن مکرر مجاز تا Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea
مشخصات فنی محصول
دسته بندی | محصولات نیمه هادی گسسته |
دیود - یکسو کننده - تک | |
Mfr | نیمه هادی عمومی ویشای - بخش دیودها |
سلسله | خودرو، AEC-Q101، eSMP®، TMBS® |
بسته | نوار و حلقه (TR) |
وضعیت قطعه | فعال |
نوع دیود | شاتکی |
ولتاژ - معکوس DC (Vr) (حداکثر) | 45 V |
فعلی - میانگین اصلاح شده (Io) | 20A |
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر | 660 mV @ 20 A |
سرعت | بازیابی سریع =< 500ns، > 200mA (Io) |
جریان - نشت معکوس @ Vr | 700 µA @ 45 V |
ظرفیت @ Vr، F | 3100pF @ 4V، 1MHz |
نوع نصب | نصب سطحی |
بسته / مورد | TO-252-3، DPak (2 Lead + Tab)، SC-63 |
بسته دستگاه تامین کننده | SlimDPAK |
دمای عملیاتی - اتصال | -40 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد |
شماره محصول پایه | V20PWM45 |
| شماره قطعه | V20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I |
| شماره قطعه پایه | V20PWM45C-M3/I |
| اتحادیه اروپا RoHS | مطابق با معافیت |
| ECCN (ایالات متحده) | EAR99 |
| وضعیت قطعه | فعال |
| HTS | 8541.29.00.95 |
شماره قطعه بیشتر برای General Semiconductor:
| شماره قطعه | MFG | نوع بسته |
| BYV26C | نیمه هادی های VISHAY | SOD-57 |
| BYV26EGP | نیمه هادی های VISHAY | DO-15 |
| BYV26E-TAP | نیمه هادی های VISHAY | SOD-57 |
| BYV26EGP | نیمه هادی های VISHAY | DO-15 |
| BYV26E-TAP | نیمه هادی های VISHAY | SOD-57 |
| BYV26C-TAP | نیمه هادی های VISHAY | SOD-57 |
| SI2309CDS-T1-GE3 | نیمه هادی های VISHAY | SOT-23 |
| SI2301CDS-T1-GE3 | نیمه هادی های VISHAY | SOT-23 |
| SI2307CDS-T1-GE3 | نیمه هادی های VISHAY | SOT-23 |
| SF1600-TAP | نیمه هادی های VISHAY | SOD-57 |
| SF1600-TAP | نیمه هادی های VISHAY | SOD-57 |
| SI2333CDS-T1-GE3 | نیمه هادی های VISHAY | SOT-23 |
| SI2303CDS-T1-GE3 | نیمه هادی های VISHAY | SOT-23 |
| SI2304DDS-T1-GE3 | نیمه هادی های VISHAY | SOT-23 |
| SI2302CDS-T1-GE3 | نیمه هادی های VISHAY | SOT-23 |
| SI2305CDS-T1-GE3 | نیمه هادی های VISHAY | SOT-23 |
| SBYV26C | نیمه هادی های VISHAY | DO-41 |
| BZX55C24-TAP | نیمه هادی های VISHAY | DO-35 |
| BYV27-200 | نیمه هادی های VISHAY | SOD-57 |
| BYV27-600-TAP | نیمه هادی های VISHAY | SOD-57 |
| BYV27-600-TAP | نیمه هادی های VISHAY | SOD-57 |
| BYV27-200-TAP | نیمه هادی های VISHAY | SOD-57 |
| BYV28-200-TAP | نیمه هادی های VISHAY | SOD-64 |
| SBYV26C | نیمه هادی های VISHAY | DO-41 |