ترانزیستور N کانال IRF1404ZPBF 180A 200W HEXFET FET MOSFET
ترانزیستور کانال N IRF1404ZPBF
,ماسفت FET HEXFET 180A 200W
,ترانزیستور N کانال 180A 200W
IRF1404ZPBF ترانزیستور N-Channel 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFET
N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB مشخصات:
دسته بندی
|
محصولات نیمه هادی گسسته
|
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
|
|
Mfr
|
فنآوریهای Infineon
|
سلسله
|
HEXFET®
|
بسته
|
لوله
|
نوع FET
|
کانال N
|
فن آوری
|
ماسفت (اکسید فلز)
|
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
|
40 ولت
|
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
|
180A (Tc)
|
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
|
10 ولت
|
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
|
3.7 میلی اهم @ 75 آمپر، 10 ولت
|
Vgs(th) (Max) @ ID
|
4 ولت @ 250 µA
|
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
|
150 nC @ 10 V
|
Vgs (حداکثر)
|
± 20 ولت
|
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
|
4340 pF @ 25 V
|
ویژگی FET
|
-
|
اتلاف نیرو (حداکثر)
|
200 وات (Tc)
|
دمای عملیاتی
|
-55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ)
|
نوع نصب
|
از طریق سوراخ
|
بسته دستگاه تامین کننده
|
TO-220AB
|
بسته / مورد
|
TO-220-3
|
شماره محصول پایه
|
IRF1404
|
شرح
این ماسفت HEXFET® Power از جدیدترین تکنیک های پردازش برای دستیابی به مقاومت بسیار کم در هر ناحیه سیلیکونی استفاده می کند.
از دیگر ویژگیهای این محصول میتوان به دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد، سرعت سوئیچینگ سریع و بهبود رتبهبندی تکراری بهمن اشاره کرد.این ویژگیها با هم ترکیب میشوند تا این طراحی را به دستگاهی بسیار کارآمد و قابل اعتماد برای استفاده در کاربردهای مختلف تبدیل کنند.
صفت | شرح |
---|---|
وضعیت RoHS | سازگار با ROHS3 |
سطح حساسیت به رطوبت (MSL) | 1 (نامحدود) |
وضعیت REACH | REACH بدون تأثیر |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
8541.29.0095 |
شماره قطعه | IRF1404ZPBF |
شماره قطعه پایه | IRF1404 |
اتحادیه اروپا RoHS | مطابق با معافیت |
ECCN (ایالات متحده) | EAR99 |
وضعیت قطعه | فعال |
HTS | 8541.29.00.95 |