Infineon HEXFET Power MOSFET N Channel 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
دسته بندی:
نیمه هادی های گسسته
قیمت:
Negotiated
روش پرداخت:
T/T، وسترن یونیون
مشخصات فنی
خانواده:
محصولات نیمه هادی گسسته
دسته بندی:
قطعات الکترونیکی - ماسفت (اکسید فلز)
سلسله:
ماسفت HEXFET (اکسید فلز)
شماره قطعه پایه:
IRLR3915
جزئیات:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
تایپ کنید:
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
شرح:
ماسفت N-CH 55V 30A DPAK
بسته:
TO-252-3، DPak (2 Lead + Tab)، SC-63
نوع نصب:
نصب سطحی
برجسته:
ماسفت برقی HEXFET Infineon,MOSFET N Channel 55V 30A,55V 30A HEXFET Power MOSFET
,MOSFET N Channel 55V 30A
,55V 30A HEXFET Power MOSFET
معرفی
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Rectifier IOR HEXFET MOSFET N-Channel 55V 30A DPAK محصولات نیمه هادی گسسته
N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
شرح
این ماسفت HEXFET® Power از جدیدترین تکنیک های پردازش برای دستیابی به مقاومت بسیار کم در هر ناحیه سیلیکونی استفاده می کند.
از دیگر ویژگی‌های این محصول می‌توان به دمای عملیاتی 175 درجه سانتی‌گراد، سرعت سوئیچینگ سریع و بهبود رتبه‌بندی تکراری بهمن اشاره کرد.این ویژگی‌ها با هم ترکیب می‌شوند تا این طراحی را به دستگاهی بسیار کارآمد و قابل اعتماد برای استفاده در کاربردهای مختلف تبدیل کنند.
امکانات :
فناوری فرآیند پیشرفته با مقاومت بسیار کم 175 درجه سانتی گراد دمای عملیاتی سوئیچینگ سریع بهمن مکرر مجاز تا Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea
مشخصات فنی محصول
| شماره قطعه | IRLR3915TRPBF |
| شماره قطعه پایه | IRLR3915 |
| اتحادیه اروپا RoHS | مطابق با معافیت |
| ECCN (ایالات متحده) | EAR99 |
| وضعیت قطعه | فعال |
| HTS | 8541.29.00.95 |
|
دسته بندی
|
محصولات نیمه هادی گسسته
|
|
ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
|
|
|
Mfr
|
فن‌آوری‌های Infineon
|
|
سلسله
|
HEXFET®
|
|
بسته
|
نوار و حلقه (TR)
|
|
وضعیت قطعه
|
فعال
|
|
نوع FET
|
کانال N
|
|
فن آوری
|
ماسفت (اکسید فلز)
|
|
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)
|
55 V
|
|
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C
|
30A (Tc)
|
|
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
|
5 ولت، 10 ولت
|
|
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs
|
14 میلی اهم @ 30 آمپر، 10 ولت
|
|
Vgs(th) (Max) @ ID
|
3 ولت @ 250 µA
|
|
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
|
92 nC @ 10 V
|
|
Vgs (حداکثر)
|
± 16 ولت
|
|
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
|
1870 pF @ 25 V
|
|
ویژگی FET
|
-
|
|
اتلاف نیرو (حداکثر)
|
120 وات (Tc)
|
|
دمای عملیاتی
|
-55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ)
|
|
نوع نصب
|
نصب سطحی
|
|
بسته دستگاه تامین کننده
|
دی پاک
|
|
بسته / مورد
|
TO-252-3، DPak (2 Lead + Tab)، SC-63
|
|
شماره محصول پایه
|
IRLR3915
|
ارسال RFQ
موجودی:
مقدار تولیدی:
10