M29DW323 M29DW323DT70N6 Micron FLASH NOR حافظه مدارهای مجتمع IC TSOP48 قطعات الکترونیکی
میکرون M29DW323DT70N6EM29DW323FLASH NOR حافظه مدارهای مجتمع IC TSOP48 قطعات الکترونیکی
-M29DW323DT M29DW323DB 32 مگابیت (4 مگابایت x8 یا 2 مگابایت x16، دو بانک 8:24، بلوک بوت) منبع فلش 3 ولت
M29DW323D یک حافظه 32 مگابیت (4 مگابایت x8 یا 2 مگابایت x16) غیر فرار است که قابل خواندن، پاک کردن و برنامه ریزی مجدد است.این عملیات را می توان با استفاده از یک منبع ولتاژ پایین (2.7 تا 3.6 ولت) انجام داد.هنگام روشن کردن، حافظه به طور پیش فرض روی حالت خواندن قرار می گیرد.این دستگاه دارای معماری بلوک نامتقارن است.M29DW323D دارای آرایه ای از 8 پارامتر و 63 بلوک اصلی است و به دو بانک A و B تقسیم می شود که عملیات Dual Bank را ارائه می دهد.هنگام برنامه نویسی یا پاک کردن در بانک A، عملیات خواندن در بانک B امکان پذیر است و بالعکس.فقط یک بانک در هر زمان مجاز است در حالت برنامه یا پاک کردن باشد.
M29DW323D دارای یک بلوک اضافی 32 کیلو ورد (حالت x16) یا 64 کیلوبایت (حالت x8)، بلوک توسعه یافته است که با استفاده از یک فرمان اختصاصی قابل دسترسی است.بلوک توسعه یافته قابل محافظت است و بنابراین برای ذخیره اطلاعات امنیتی مفید است.
با این حال، حفاظت غیرقابل برگشت است، پس از محافظت، حفاظت قابل بازگشت نیست
.هر بلوک را می توان به طور مستقل پاک کرد، بنابراین امکان حفظ داده های معتبر در حین پاک شدن داده های قدیمی وجود دارد.
بلوک ها را می توان برای جلوگیری از تغییر دادن دستورات برنامه یا پاک کردن تصادفی حافظه محافظت کرد.
دستورات Program و Erase در Command Interface حافظه نوشته می شوند.
یک کنترلر برنامه/پاک کردن روی تراشه با مراقبت از تمام عملیات ویژه ای که برای به روز رسانی محتویات حافظه لازم است، فرآیند برنامه نویسی یا پاک کردن حافظه را ساده می کند.
پایان یک برنامه یا عملیات پاک کردن را می توان تشخیص داد و هر گونه شرایط خطا را شناسایی کرد.
مجموعه دستورات مورد نیاز برای کنترل حافظه با استانداردهای JEDEC مطابقت دارد.
سیگنال های Chip Enable، Output Enable و Write Enable عملکرد گذرگاه حافظه را کنترل می کنند.
آنها اجازه اتصال ساده به اکثر ریزپردازنده ها را می دهند، اغلب بدون منطق اضافی.
این حافظه در بسته های TSOP48 (12x20mm) و TFBGA48 (6x8mm، 0.8mm pitch) ارائه می شود.
خلاصه ویژگی ها:
ولتاژ تغذیه
– VCC = 2.7 ولت تا 3.6 ولت برای برنامه، پاک کردن و خواندن
– VPP = 12 ولت برای برنامه سریع (اختیاری)
«زمان دسترسی: 70 ثانیه
"زمان برنامه ریزی
- 10µs در هر بایت/کلمه معمولی
– برنامه Double Word/ Quadruple Byte
بلوک های حافظه
– آرایه حافظه دو بانکی: 8 مگابیت + 24 مگابیت
- بلوک های پارامتر (مکان بالا یا پایین)
"عملیات دوگانه
- خواندن در یک بانک در حالی که برنامه یا پاک کردن در بانک دیگر
" حالت های تعلیق و ازسرگیری را پاک کنید
- خواندن و برنامه ریزی یک بلوک دیگر در حین پاک کردن تعلیق
دستور باز کردن قفل برنامه Bypass
- تولید سریعتر / برنامه نویسی دسته ای
پین VPP/WP برای برنامه سریع و محافظت از نوشتن
« حالت عدم حفاظت بلوک موقت
«واسط فلش مشترک – کد امنیتی 64 بیتی
بلوک حافظه گسترده
- بلوک اضافی به عنوان بلوک امنیتی یا برای ذخیره اطلاعات اضافی استفاده می شود
« مصرف برق کم – آماده به کار و آماده به کار خودکار
100000 چرخه برنامه/پاک کردن در هر بلوک
" امضای الکترونیک
– کد سازنده: 0020h
– کد بالای دستگاه M29DW323DT: 225Eh
– کد پایین دستگاه M29DW323DB:225Fh
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP-M29DW323DT70N6E مشخصات:
| دسته بندی | قطعات الکترونیکی |
|
زیر مجموعه
|
مدارهای مجتمع (IC)
|
|
سلسله
|
حافظه
|
|
Mfr
|
Micron Technology Inc.
|
|
بسته
|
سینی
|
|
وضعیت قطعه
|
منسوخ شده
|
|
نوع حافظه
|
غیر فرار
|
|
فرمت حافظه
|
فلاش
|
|
فن آوری
|
فلش - نه
|
|
اندازه حافظه
|
32 مگابایت (4M x 8، 2M x 16)
|
|
رابط حافظه
|
موازی
|
|
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه
|
دهه 70
|
|
زمان دسترسی
|
70 ns
|
|
تامین کننده ولتاژ
|
2.7 ولت ~ 3.6 ولت
|
|
دمای عملیاتی
|
-40 درجه سانتی گراد ~ 85 درجه سانتی گراد (TA)
|
|
نوع نصب
|
نصب سطحی
|
|
بسته / مورد
|
48-TFSOP (0.724 اینچ عرض 18.40 میلی متر)
|
|
بسته دستگاه تامین کننده
|
48-TSOP
|
|
شماره محصول پایه
|
M29DW323
|
شماره محصولات مرتبط:
| Mfr قسمت # | فن آوری | اندازه حافظه | بسته دستگاه |
| M29DW323DB70N6F TR | فلش - نه | 32 مگابایت (4M x 8، 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DT70N6F TR | فلش - نه | 32 مگابایت (4M x 8، 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB5AN6F TR | فلش - نه | 256 مگابایت (16 × 16 مگابایت) | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N3E | فلش - نه | 32 مگابایت (4M x 8، 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N6E | فلش - نه | 32 مگابایت (4M x 8، 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB70ZE6E | فلش - نه | 32 مگابایت (4M x 8، 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
| M29DW323DB70ZE6F TR | فلش - نه | 32 مگابایت (4M x 8، 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
| M29DW323DB7AN6F TR | فلش - نه | 32 مگابایت (4M x 8، 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DT70ZE6F TR | فلش - نه | 32 مگابایت (4M x 8، 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
| M29DW323DT70ZE6E | فلش - نه | 32 مگابایت (4M x 8، 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
| M29DW323DT70N6E | فلش - نه | 32 مگابایت (4M x 8، 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N6E | فلش - نه | 32 مگابایت (4M x 8، 2M x 16) | 48-TSOP |
| M29DW323DB70N6 | فلش - نه | 32 مگابایت (4M x 8، 2M x 16) | 48-TSOP |
ترتیب اطلاعات:
درباره فناوری میکرون
Micron حافظه و راه‌حل‌های ذخیره‌سازی خلاقانه‌ای می‌سازد که به مهم‌ترین و مخرب‌ترین پیشرفت‌های فناوری امروزی مانند هوش مصنوعی، اینترنت اشیا، ماشین‌های خودران، پزشکی شخصی‌شده - حتی اکتشاف فضا کمک می‌کنند. آنها با پیشگامی راه‌های سریعتر و کارآمدتر برای جمع‌آوری، ذخیره و مدیریت داده‌ها، به ایجاد انقلاب و بهبود شیوه‌های ارتباط، یادگیری و پیشرفت جهان کمک می‌کنند.
دسته بندی محصولات Micron Technology:
مدارهای مجتمع (IC)
کارت های حافظه، ماژول ها
اپتوالکترونیک
تصویر برای مرجع:
طبقه بندی محیطی و صادراتی
| صفت | شرح |
|---|---|
| وضعیت RoHS | سازگار با ROHS3 |
| سطح حساسیت به رطوبت (MSL) | 3 (168 ساعت) |
| وضعیت REACH | REACH بدون تأثیر |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
شماره قطعه آی سی جایگزین مدارهای مجتمع:
S29JL032J70TFI010 / S29JL032J70TFI310
ما گسترده‌ترین مجموعه فناوری‌های حافظه و ذخیره‌سازی صنعت را می‌فروشیم: DRAM، NAND، و حافظه NOR.با همکاری های نزدیک در صنعت و تخصص راه حل های حافظه، بینش منحصر به فرد ما به ما این توانایی را می دهد که چالش برانگیزترین نیازهای شما را برطرف کنیم.
کاتالوگ قطعات مدار مجتمع NOR فلش موازی مرتبط:
| MT28EW128ABA1HJS-0SIT |
| MT28EW128ABA1HPC-0SIT |
| MT28EW128ABA1HPN-0SIT |
| MT28EW128ABA1LJS-0SIT |
| MT28EW128ABA1LPC-0SIT |
| MT28EW128ABA1LPN-0SIT |